AGGS(AgGaGeS4) кристаллдары

Толкун бетинин бурмаланышы:λ/6 @ 633 нмден аз

Өлчөмгө сабырдуулук:(W +/-0,1 мм) x (H +/-0,1 мм) x (L +0,2 мм/-0,1 мм)

Таза диафрагма:> 90% борбордук аймак

Тегиздик:T>=1,0мм үчүн λ/6 @ 633 нм

Беттин сапаты:Scratch / MIL-O-13830A боюнча 20/10 казыңыз

Параллелдүүлүк:1 дого мин караганда жакшы

Перпендикулярдык:5 арка мүнөт

Бурчка толеранттуулук:Δθ< +/-0,25o, Δφ< +/-0,25o

WhatsApp Бизге электрондук кат жөнөтүңүз PDF катары жүктөп алыңыз

Продукт чоо-жайы

Техникалык параметрлер

Сыноо отчету

AgGaGeS4 кристалл барган сайын өнүгүп келе жаткан жаңы сызыктуу эмес кристаллдардын арасында өтө зор потенциалы бар катуу эритме кристаллдарынын бири.Ал жогорку сызыктуу эмес оптикалык коэффициентти (d31=15pm/V), кеңири өткөрүү диапазонун (0,5-11,5um) жана төмөн жутуу коэффициентин (1064нмде 0,05см-1) мурастайт.Мындай сонун касиеттер 4-11um орто-инфраард толкун узундугуна жакын инфракызыл 1.064um Nd:YAG лазеринин жыштыгын жылдыруусуна чоң пайда алып келет.Мындан тышкары, ал лазердин зыян чегинде жана фазага дал келүүчү шарттардын диапазонунда ата-энелик кристаллдарына караганда жакшыраак көрсөткүчкө ээ, бул лазердин зыяндын жогорку босогосу менен көрсөтүлүп, аны туруктуу жана жогорку кубаттуу жыштык конверсиясына шайкеш кылат.
Зыяндын жогорку чегинен жана фазага дал келүүчү схемалардын ар түрдүүлүгүнөн улам AgGaGeS4 жогорку кубаттуулукта жана спецификалык тиркемелерде азыр кеңири таралган AgGaS2ге альтернатива боло алат.
AgGaGeS4 кристаллынын касиеттери:
Беттик зыяндын босогосу: 1,08Дж/см2
Денеге зыяндын чеги: 1,39 Дж/см2

ТехникалыкПараметрлер
Толкун фронтунун бурмаланышы	λ/6 @ 633 нмден аз
Өлчөмгө сабырдуулук	(W +/-0,1 мм) x (H +/-0,1 мм) x (L +0,2 мм/-0,1 мм)
Таза диафрагма	> 90% борбордук аймак
Тегиздик	T>=1,0мм үчүн λ/6 @ 633 нм
Беттин сапаты	Scratch / MIL-O-13830A боюнча 20/10 казыңыз
Параллелизм	1 дого мин караганда жакшы
Перпендикулярдык	5 арка мүнөт
Бурчка толеранттуулук	Δθ < +/-0,25^o, Δφ < +/-0,25^o