Tm:YAP Crystals

Космос тобу:D162h (Pnma)

Тор константалары(Å):a=5,307,b=7,355,c=5,176

Эрүү температурасы (℃):1850±30

Эрүү температурасы (℃):0.11

Термикалык кеңейүү (10^-6· К^-1): 4.3//a,10.8//b,9.5//c

Тыгыздыгы (г/см^-3): 4.3//a,10.8//b,9.5//c

Сынуу көрсөткүчү:1,943//a,1,952//b,1,929//c 0,589 мм

Катуулугу (Mohs шкаласы):8.5-9

WhatsApp Бизге электрондук кат жөнөтүңүз PDF катары жүктөп алыңыз

Продукт чоо-жайы

Спецификация

Tm кошулган кристаллдар бир нече жагымдуу өзгөчөлүктөргө ээ, алар аларды 2um айланасында жөнгө салынуучу толкун узундугу менен катуу абалдагы лазер булактары үчүн тандоо материалы катары көрсөтөт.Tm:YAG лазерин 1,91ден 2,15умга чейин тууралоо мүмкүн экени көрсөтүлдү.Ошо сыяктуу эле, Tm:YAP лазери 1,85тен 2,03 um-га чейинки диапазону тууралай алат. Tm: кошулган кристаллдардын квази-үч деңгээлдүү системасы ылайыктуу насостук геометрияны жана активдүү медиадан жакшы жылуулук алууну талап кылат. Экинчи жагынан, Tm кошулган материалдар жогорку энергиялуу Q-Switched операциясы үчүн жагымдуу флуоресценциянын узак иштөө убактысы. Ошондой эле, кошуна Tm3+ иондору менен эффективдүү кайчылаш релаксация бир сорулган насостун фотону үчүн жогорку лазер деңгээлинде эки дүүлүктүрүүчү фотонду жаратат. Бул лазерди квант менен абдан эффективдүү кылат. натыйжалуулугу экиге жакындайт жана жылуулук жүктөөнү азайтат.
Tm:YAG жана Tm:YAP медициналык лазерлерде, радарларда жана атмосфераны аныктоодо колдонулушун тапты.
Tm:YAP касиеттери кристаллдардын ориентациясынан көз каранды. Көбүнчө "a" же "b" огу боюнча кесилген кристаллдар колдонулат.
Tm:YAP Crystaнын артыкчылыктары:
Tm: YAG менен салыштырганда 2μm диапазондо жогорку эффективдүүлүк
Сызыктуу поляризацияланган чыгуу нуру
Tm: YAG менен салыштырганда 4нм кең жутуу тилкеси
Tm:YAG 785нмдеги адсорбциянын чокусуна караганда AlGaAs диоду менен 795нм үчүн жеткиликтүү

Негизги касиеттери:

Космос тобу	D162h (Pnma)
Тор константалары(Å)	a=5,307,b=7,355,c=5,176
Эрүү температурасы (℃)	1850±30
Эрүү температурасы (℃)	0.11
Термикалык кеңейүү (10^-6· К^-1)	4.3//a,10.8//b,9.5//c
Тыгыздыгы (г/см^-3)	4.3//a,10.8//b,9.5//c
Сынуу көрсөткүчү	1,943//a,1,952//b,1,929//кот 0,589 мм
Катуулугу (Mohs шкаласы)	8.5-9

Техникалык шарттар:

Допанттын контенциясы	Тм: 0,2~15ат%
Багыттоо	5° ичинде
«алдын ала бурмалоо	<0.125A/inch@632.8nm
7od өлчөмү	диаметри 2 ~ 10мм, Узундугу 2 ~ 100мм Jpon кардардын талабы
Өлчөмдүү сабырдуулуктар	Диаметри +0,00/-0,05мм, Узундугу: ± 0,5мм
Баррель бүтүрүү	Майдаланган же жылмаланган
Параллелизм	≤10″
Перпендикулярдык	≤5′
Тегиздик	≤λ/8@632.8nm
бетинин сапаты	L0-5(MIL-0-13830B)
Chamfer	3,15 ±0,05 мм
AR каптоо чагылдыруу	< 0,25%