BGGSe(BaGa2GeSe6) кристаллдары

BaGa2GeSe6 кристаллынын оптикалык бузулуу чеги (110 МВт/см2), кең спектрдик тунуктук диапазону (0,5тен 18 мкмге чейин) жана жогорку сызыктуу эместикке (d11 = 66 ± 15 pm/V) ээ, бул кристалл үчүн абдан жагымдуу кылат. лазердик нурлануунун жыштыгын орто IR диапазонуна (же ичинде) конвертациялоо.


  • Химиялык формула:BaGa2GeSe6
  • Сызыктуу эмес коэффициент:d11=66
  • Зыяндын чеги:110 МВт/см2
  • Ачыктык диапазону:0,5тен 18 мкмге чейин
  • Продукт чоо-жайы

    Негизги касиеттери

    Сток тизмеси

    BaGa2GeSe6 кристаллынын оптикалык бузулуу чеги (110 МВт/см2), кең спектрдик тунуктук диапазону (0,5тен 18 мкмге чейин) жана жогорку сызыктуу эместикке (d11 = 66 ± 15 pm/V) ээ, бул кристалл үчүн абдан жагымдуу кылат. лазердик нурлануунун жыштыгын орто IR диапазонуна (же ичинде) конвертациялоо.Бул CO- жана CO2-лазердик нурлануунун экинчи гармоникалык мууну үчүн эң эффективдүү кристалл экендиги далилденген.Бул кристаллда көп линиялуу CO-лазердик нурлануунун кең тилкелүү эки этаптуу жыштык конверсиясы ZnGeP2 жана AgGaSe2 кристаллдарына караганда жогорку эффективдүүлүк менен 2,5-9,0 мкм толкун узундуктарынын диапазонунда мүмкүн экендиги аныкталган.
    BaGa2GeSe6 кристаллдары ачыктык диапазонунда сызыктуу эмес оптикалык жыштыктарды өзгөртүү үчүн колдонулат.Конверсиянын максималдуу эффективдүүлүгүн алууга боло турган толкун узундуктары жана айырма жыштыктарды түзүү үчүн тюнинг диапазону табылды.Кең жыштык тилкесинде эффективдүү сызыктуу эмес коэффициент бир аз гана өзгөргөн толкун узундуктарынын комбинациялары бар экени көрсөтүлгөн.

    BaGa2GeSe6 кристаллынын селмайер теңдемелери:
    21

    ZnGeP2, GaSe жана AgGaSe2 кристаллдары менен салыштырыңыз, касиеттердин маалыматтары төмөндөгүдөй көрсөтүлөт:

    Негизги касиеттери

    Кристалл d,pm/V I, МВт/см2
    AgGaSe2 d36=33 20
    GaSe d22=54 30
    BaGa2GeSе6 d11=66 110
    ZnGeP2 d36=75 78
    Модел Продукт Өлчөмү Багыттоо Surface Тоо Саны
    DE1028-2 BGGSe 5*5*2.5мм θ=27°φ=0° II түрү эки тарап жылмаланган Чыгарылды 1