Сызыктуу эмес кристаллдар

Горизонталдуу жана вертикалдуу өстүрүү ыкмалары, бул материалдар (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) берилген стандарттык өлчөмдөр жана багыттары менен жеткиликтүү.Алардын кээ бирлери чоң сызыктуу эмес коэффициенттердин касиеттери жана биз берген уникалдуу өлчөмдөрү менен кадимки SHG, THG жана Орто-инфракызыл OPO, OPA системаларында кеңири колдонулат, ж.

GaSe Crystal

Галлий селениди (GaSe) сызыктуу эмес оптикалык монокристалл, чоң сызыктуу эмес коэффициентти, жогорку зыян чегин жана кеңири ачыктык диапазонун бириктирет.Бул орто IR-жылы ӨЖТ үчүн абдан ылайыктуу материал болуп саналат.
ZGP(ZnGeP2) кристаллдары

ZGP кристаллдары чоң сызыктуу эмес коэффициенттерге (d36=75pm/V), кенен инфракызыл тунуктук диапазону (0,75-12μm), жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүк (0,35W/(см·K)), лазердин зыяндын жогорку чеги (2-5Дж/см2) жана кудуктарды иштетүү касиети, ZnGeP2 кристалл инфракызыл сызыктуу эмес оптикалык кристаллдардын падышасы деп аталды жана дагы эле жогорку кубаттуулуктагы, жөндөлүүчү инфракызыл лазерди генерациялоо үчүн эң мыкты жыштык конверсиялоочу материал болуп саналат.Биз жогорку оптикалык сапатты жана өтө төмөн жутуу коэффициенти α < 0,05 см-1 (насостук толкун узундугу 2,0-2,1 мкм) болгон чоң диаметри ZGP кристаллдарын сунуштай алабыз, алар OPO же OPA аркылуу жогорку эффективдүү орто инфракызыл тюленүүчү лазерди өндүрүү үчүн колдонулушу мүмкүн. процесстер.
AGSe(AgGaSe2) кристаллдары

AGSeAgGaSe2 кристаллдары 0,73 жана 18 мкм тилке четтерине ээ.Анын пайдалуу өткөрүү диапазону (0,9–16 мкм) жана кеңири фазага дал келүү мүмкүнчүлүгү ар түрдүү лазерлер менен сордурулган OPO колдонмолору үчүн эң сонун потенциалды камсыз кылат.Ho:YLF лазери менен 2,05 мкм менен сордурганда 2,5–12 мкм чегинде тюнинг алынган;ошондой эле 1,4-1,55 мкм менен сордурганда 1,9–5,5 мкм чегинде критикалык эмес фазага дал келүү (NCPM) операциясы.AgGaSe2 (AgGaSe2) инфракызыл CO2 лазер нурлануусу үчүн эффективдүү жыштык эки эселенген кристалл экени далилденген.
AGS(AgGaS2) кристаллдары

AGS 0,50дөн 13,2 мкмге чейин тунук.Анын сызыктуу эмес оптикалык коэффициенти айтылган инфракызыл кристаллдардын ичинен эң төмөн болгонуна карабастан, Nd:YAG лазери менен сордурулган OPOларда 550 нм узундуктагы кыска толкун узундуктагы тунуктук четтери колдонулат;диод, Ti: Sapphire, Nd: YAG жана 3–12 мкм диапазонду камтыган IR боёк лазерлери менен көптөгөн айырма жыштыктарды аралаштыруу эксперименттеринде;түздөн-түз инфракызыл каршы системаларында, жана CO2 лазердин SHG үчүн.Жука AgGaS2 (AGS) кристалл плиталары NIR толкун узундуктагы импульстарды колдонуу менен жыштыктын айырмасы аркылуу орто IR диапазонундагы ультра кыска импульстарды түзүү үчүн популярдуу.
BGSe(BaGa4Se7) кристаллдары

BGSe жогорку сапаттагы кристаллдары (BaGa4Se7) халькогениддик кошулма BaGa4S7 селениддик аналогу болуп саналат, анын ацентрдик орторомбдук түзүлүшү 1983-жылы аныкталган жана IR NLO эффектиси 2009-жылы билдирилген, бул жаңыдан иштелип чыккан IR NLO кристалл.Бул Bridgman-Stockbarger техникасы аркылуу алынган.Бул кристалл 0,47–18 мкм кең диапазондо жогорку өткөрүмдүүлүктү көрсөтөт, 15 мкм тегерегинде жутулуунун чокусун кошпогондо.
BGGSe(BaGa2GeSe6) кристаллдары

BaGa2GeSe6 кристаллынын оптикалык бузулуу чеги (110 МВт/см2), кең спектрдик тунуктук диапазону (0,5тен 18 мкмге чейин) жана жогорку сызыктуу эместикке (d11 = 66 ± 15 pm/V) ээ, бул кристалл үчүн абдан жагымдуу кылат. лазердик нурлануунун жыштыгын орто IR диапазонуна (же ичинде) конвертациялоо.